世界第一！复旦大学成功研发新型架构闪存芯片

【大河彩立方讯】继今年4月向《自然》提出“曙光”二维闪存原型器件后，复旦大学科研团队又取得新的成功。北京时间10月8日晚，复旦大学发表题为《系统集成实现的全功能2D Flash芯片》的自然文章。相关成果首次实现了二维-硅混合架构的架构，攻克了二维新型信息设备的重大工程难题。基于闪存芯片混合架构（带PCB板）的二维-Siligon是复旦大学集成电路与微纳电子创新学院集成芯片与系统国家重点实验室周鹏-刘春森团队研发的“长影（CY-01）”架构，深度包含二维超高速闪存器件 “痘”连同二维超高速闪存器件“POX”采用二维超高速闪存器件“POX”成熟的技术基于硅CMOS，并率先构建了第一个二维硅CMOS，并率先构建了混合架构芯片。这也是迄今为止首款二维硅基混合架构的闪存芯片。其性能“碾压”了目前的闪存技术，首次实现了混合架构的工程化。这一突破攻克了二维新型信息器件的重大工程难题，为新一代扰动器件缩短应用周期提供了范例，为推动信息技术进入新的速度时期提供了更轻的AS支撑。依靠前一阶段完成的研究成果和集成工作，此时打造的芯片已经成功问世。从基础研究到工程应用，团队取得了成功在最困难的步骤中，后续的重复过程将会加速。下一步，他们将建立实验基地，与姻亲机构合作，建立独立的工程项目。他们计划在3-5年内纳入万亿级项目，这段时间产生的知识产权和IP可能会授权给公司合作伙伴。编辑：史健 |审稿人：李震 |监制：古筝回归搜狐看更多